由于中国集成电路市场在全球应用上进展不够快速，难以得到产品线验证和改良导致中国集成电路产业整体实力不强，缺乏世界级企业。经过多年的投入和发展，中国集成电路产业链已初步建成，在计算机、智能手机、家电和工业控制芯片上均有突破。

　　2016年上半年全球集成行业低迷,而到第三季度整体行业回暖。据美国半导体工业协会发布的资料显示,2016年第三季度全球集成电路的销售额为883亿美元,创下该季度销售额历史最高记录。国内方面,集成电路再攀高峰。

　　据中国半导体行业协会统计,2016年1-9月中国集成电路产业销售额为2979.9亿元,同比增长17.3%。其中,设计业销售额为1174.7亿元,同比增长24.8%;制造业销售额707.4亿元,同比增长16.8%;封装测试业销售额1097.8亿元,同比增长10.5%。然而我国集成电路IC整体技术水平不高、核心产品创新能力不足等问题依然存在。集成IC的工艺正接近物理极限的困境日趋明显,IDM和Fab-lite模式能够整合产业资源,使得企业联手起来集众之力研发创新,这样更有可能突破这一困境。另一方面IDM或Fab-lite迎合未来集成电路小批量,灵活性的供应模式或成为发展趋势。

　　近日，长江存储和中科院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展，32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求，成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。

　　2017-2022年中国存储器集成电路行业专项调研及投资价值预测报告表明，存储器作为我国集成电路支柱产业，目前主要依赖进口，我国对DRAM和NAND Flash产品需求占全球消费量的比例超过20%。同时，存储器也是半导体产业资本支出最高的领域，占整个行业的38%。

　　为加快存储器国产化进程，国家半导体基金对该领域的投资力度加大。2016年12月由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储器基地项目，在武汉东湖高新区正式动工建设，该项目总投资240亿美元，主要生产存储器芯片。据了解，该项目将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash Fab厂房，一期项目计划2018年建成投产，到2020年完成整个项目，该项目总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

　　存储芯片作为集成电路的三大品类之一，目前广泛应用于内存、消费电子、智能终端和固态存储硬盘等领域，其销售额占整个芯片产业的比重超过25%。赛迪顾问数据显示，2014 年我国存储芯片市场规模达到2465.5亿元，占国内集成电路市场份额的23.7%，国内存储芯片基本依靠进口，每年进口存储芯片的金额高达600亿美元。从市场份额占比来看，截至去年第三季度，三星电子在全球DRAM存储器领域的份额达到50.2%，SK海力士占24.8%的份额。在NAND Flash领域，三星电子的全球市场份额为36.6%，SK海力士占10.4%的份额。

　　在政策大力扶持和国家科技重大专项的引领下，我国存储器产业将步入快速扩容期，并带动半导体设备及材料产业发展。国际半导体协会SEMI公布的2016年和2017年全球新建晶圆厂超过19座，其中有10座建于我国。按照政策目标，我国集成电路市场规模占全球60%，但自给率仅为27%，到2020年芯片自给率要达到40%。随着存储器技术的不断突破将带动材料设备和封测产业快速增长，国产化进程有望加快。