存储设备研发公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亚州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技术的铟-镓-锌-氧化物变体。
本文引用地址：
3D-X-DRAM 于 2023 年首次发布。
Neo 表示，它已经开发了一个晶体管、一个电容器 （1T1C） 和三个晶体管、零电容器 （3T0C） X-DRAM 单元，这些单元是可堆叠的。该公司表示，TCAD 仿真预测该技术能够实现 10ns 的读/写速度和超过 450 秒的保持时间，芯片容量高达 512Gbit。
这些设计的测试芯片预计将于 2026 年推出。
IGZO 是一种半导体材料，以其极低的漏电流、良好的载流子迁移率以及与低温加工的兼容性而闻名。它已被作为显示器的薄膜晶体管阵列有源矩阵选择器推出，因为它具有优于非晶硅的移动性。
该材料还显示出动态随机存取存储器 （DRAM） 架构的有益特性。IMEC 研究所此前曾提议将 IGZO 用于 2 晶体管 1 电容器 （2T1C） 和无电容器 2 晶体管 0 电容器 （2T0C） 电池。在 2T0C 设计中，读取晶体管的寄生电容用作存储元件，无需单独的存储电容器，可实现更高的密度和更少的面积消耗。
Neo Semiconductor 的 IGZO DRAM 采用改进的 3D-NAND 闪存制造工艺制成。
